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性别

男

出生年月

1988年9月

最高学历、学位

博士

职称

副教授

职务

无

电子邮箱

[email protected]

个人简介

一、基本情况：

魏涛，副教授/博士，毕业于中国科开云体育 大学，获博士学位，江苏省“双创博士”，江苏省物理学会会员，江苏省科技副总，苏州科技大学优秀教师。

二、主要研究领域及学术成就：

长期从事相变材料与应用研究，研究兴趣：（1）硫系相变薄膜激光直写纳米光刻与彩色打印/显示技术；（2）相变存储材料与器件。主持国家自然科学基金、江苏省自然科学基金等科研项目5项。以第一及通讯作者发表SCI论文40余篇；授权中国发明专利8项。

三、代表性科研成果：

代表性论文：

1. Jialong Guo, Lihao Sun, Ying Wang, Tao Wei*, Bo Liu. High-resolution direct laser writing nanolithography enabled by oxidation-mediated corrosion selectivity in N-doped Sb heat-mode resists. Journal of Materials Chemistry C, 2026, 14: 3941-3953.

2. Zhiwei Li, Tao Wei*, Lihao Sun, Jing Hu, Miao Cheng, Qianqian Liu, Ruirui Wang, Yun Ling, Wanfei Li, Bo Liu*. High-resolution multilevel reversible color printing based on Sb₂S₃ phase change materials, Photonics Research, 2025, 13(3): 661-670.

3. Qianchen Liu, Tao Wei*, Yonghui Zheng, Chuantao Xuan, Lihao Sun, Jing Hu, Miao Cheng, Qianqian Liu, Ruirui Wang, Wanfei Li, Yan Cheng, Bo Liu. Picosecond operation of optoelectronic hybrid phase change memory based on Si‐doped Sb films. Advanced Functional Materials, 2025, 35(11): 2417128.

4. Lei Chen, Jinhan Yao, Tao Wei*, Jing Hu, Miao Cheng, Qianqian Liu, Ruirui Wang, Yun Ling, Wanfei Li, Bo Liu. Direct laser writing dry lithography of high‐resolution micro‐/nanostructures in AgSb₄Te thin film for tunable perfect absorber. Physica Status Solidi-Rapid Research Letters, 2024, 18(4): 2300430.

5. 郭嘉龙、魏涛*、魏劲松*、胡敬、程淼、刘倩倩、王瑞瑞、李宛飞、刘波*。基于相变薄膜高分辨激光直写光刻研究进展，中国激光，2024，51(12)：1202410.

6. Tao Wei*, Wancheng Shen, Ying Wang, Ruirui Wang, Qianqian Liu, Miao Cheng, Wanfei Li, Jing Hu, Yun Ling, and Bo Liu*. Mechanism of corrosion selectivity of NSb₂Te thin films in the H₃PO₄/HNO₃ developer for direct laser writing nanolithography, ACS Applied Nano Materials, 2023, 6(13): 12200-12210.

7. Ben Wu, Tao Wei*, Jing Hu, Ruirui Wang, Qianqian Liu, Miao Cheng, Wanfei Li, Yun Ling, and Bo Liu*. Thermal stability and high speed for optoelectronic hybrid phase-change memory based on Cr doped Ge₂Sb₂Te₅ thin film, Ceramics International, 2023, 49(23): 37837-37848.

8. Ben Wu, Tao Wei*, Qianchen Liu, Yan Cheng, Yonghui Zheng, Ruirui Wang, Qianqian Liu, Miao Cheng, Wanfei Li, Jing Hu, Yun Ling, and Bo Liu*. Ultrafast SET/RESET operation for optoelectronic hybrid phase-change memory device cells based on Ge₂Sb₂Te₅ material using partial crystallization strategy, Applied Physics Letters, 2023, 123(19): 191110.

9. Tao Wei*, Wancheng Shen, Miao Cheng, Wanfei Li, Lei Chen, Ying Wang, Jing Hu, Qianqian Liu, Yun Ling, Jingsong Wei, Bo Liu*. Corrosion selectivity and structural evolution in N doped Sb₂Te thin films for lithography application, Journal of Alloys and Compounds, 2022, 920: 166067.

10. Tao Wei, Bo Liu*, Wanfei Li, Yun Ling, Jing Hu, Jingsong Wei. Direct laser printing color images based on the microstructure modulation of phase change material, Optics & Laser Technology, 2021, 138: 106895.

11. Xingwang Chen, Lei Chen, Ying Wang, Tao Wei*, Jing Hu, Miao Cheng, Qianqian Liu*, Wanfei Li, Yun Ling, and Bo Liu*. AgGeSbTe thin film as a negative heat-mode resist for dry lithography, Chinese Optics Letters, 2022, 20(3): 031601.

代表性授权专利：

1. 魏涛、沈万成、刘波、陈星、陈兴旺、程淼、胡敬、刘倩倩、李宛飞、凌云。一种实现正负性转换的NSb₂Te光刻胶制备及其光刻方法，专利号：ZL 202110418028.7，申请日期：2021-4-19，授权公告日：2022-7-26

2. 魏涛、刘波、魏劲松、凌云、李宛飞、刘倩倩、程淼、胡敬。一种相变-热分解型复合光刻胶的纳米光刻方法，专利号：ZL 202010305390.9，申请日期：2020-4-17，授权公告日：2022-8-26

3. 魏涛、刘波、李宛飞、凌云、胡敬、程淼、刘倩倩。基于激光直写金属掺杂Sb₂Te薄膜的自干涉曝光方法，专利号：ZL 202010245207.0，申请日期：2020-3-31，授权公告日：2023-3-14

4. 魏涛、魏劲松、刘波。基于干式显影和金属掺杂Sb₂Te光刻胶的光刻方法，专利号：ZL 201911325058.2，申请日期：2019-12-20，授权公告日：2023-5-12

5. 魏涛、魏劲松、刘波。基于相变材料的无油墨激光彩色打印方法，专利号：ZL 201910893689.8，申请日期：2019-9-20，授权公告日：2021-2-19

代表性科研项目：

1. 国家自然科学基金青年项目，锑碲薄膜非线性效应精准调控瞬态热探针及其激光直写纳米光刻研究（62205231），2023.1-2025.12，30万，主持

2. 江苏省自然科学基金青年项目，SbTe基薄膜相变潜热特性诱导透明薄膜纳米光刻的机理研究（BK20190935），2019.7-2022.6，20万，主持

3. 信息功能材料国家重点实验室开放课题，Cr掺杂相变存储材料超快相变机理研究，2019.7-2021.6，10万，主持

4. 江苏省高等学校自然科学研究面上项目，Cr-Sb₂Te₃薄膜相变潜热诱导ZnS-SiO₂纳米光刻的机理研究（19KJB510012），2019.9-2021.8，5万，主持

5. 高密光盘金属氧化物记录材料开发合作项目（TC20230321027），华为技术有限公司，2023.4 -2024.12，159.65万，参与

   6.干法显影及高透明氧化物材料研究技术合作项目（TC20210706027），华为技术有限公司，2021.7-2022.9，100.34万，参与